उच्च दाब चाचणीवर तापमानाचा परिणाम

तापमानातील बदलाचा इन्सुलेशन रेझिस्टन्सवर पूर्णपणे परिणाम होतो, त्यामुळे जेव्हा बाह्य तापमान सतत वाढत राहते, तेव्हा इन्सुलेशन मटेरियलमधील रेणू आणि आयनांच्या हालचालीचा वेग तापमानाच्या वाढीबरोबर वाढत जातो, ज्यामुळे इन्सुलेशन रेझिस्टन्सची पोलॅरिटी सुधारते आणि इन्सुलेशन रेझिस्टन्स कमी होतो. त्याच वेळी, तापमान वाढण्याच्या प्रक्रियेत, इन्सुलेशन रेझिस्टन्समधील पाण्याच्या रेणूंच्या हालचालीचा वेग सतत वाढत जातो, ज्यामुळे इन्सुलेशन रेझिस्टन्सच्या पृष्ठभागावरील अशुद्धी लवकर विरघळते आणि रेझिस्टन्स वेगाने कमी होतो. याव्यतिरिक्त, इन्सुलेशन रेझिस्टन्समधील घट थेट पृष्ठभागावरील घाणीशी संबंधित आहे. त्याच वेळी, काही संशोधन डेटाच्या विश्लेषणातून असे दिसून येते की तापमानातील बदलामुळे ट्रान्सफॉर्मरच्या इन्सुलेशन ॲबसॉर्प्शन रेशोमध्ये (शोषण गुणोत्तर) देखील बदल होतो. या बाबतीत, त्याचे दोन प्रकारांमध्ये वर्गीकरण केले जाऊ शकते. ड्राय व्हेरिएबल प्रेशर ट्रान्सफॉर्मरसाठी, तापमानाच्या वाढीबरोबर ॲबसॉर्प्शन रेशो वाढतो. तथापि, एकदा तापमान ४०°C पेक्षा जास्त वाढले की, ॲबसॉर्प्शन रेशो कमी होतो. इतर प्रकरणांमध्ये, तापमानाच्या वाढीबरोबर ॲबसॉर्प्शन रेशो कमी होतो.

दाब वाढण्याच्या गतीचा प्रभाव

उच्च-व्होल्टेज चाचणीमध्ये, बूस्टिंगच्या वेगाचा परिणाम करंट लीकेजवर होतो, त्यामुळे चाचणीमध्ये, ट्रान्सफॉर्मरच्या क्षमतेनुसार लवचिकपणे उपाययोजना करणे आवश्यक आहे जेणेकरून त्रुटींचे प्रमाण शक्य तितके नियंत्रित करता येईल आणि उच्च-व्होल्टेज चाचणीच्या निकालांची अचूकता सुनिश्चित करता येईल.

पॉवर ट्रान्सफॉर्मर चाचणीचे उदाहरण

वाइंडिंग आणि बुशिंगच्या डीसी रेझिस्टन्स चाचणीचे उदाहरण घेऊन, चाचणीमध्ये लक्ष देण्यायोग्य बाबी थोडक्यात स्पष्ट केल्या आहेत. ट्रान्सफॉर्मर वाइंडिंगमध्ये मोठे इंडक्टन्स आणि म्युच्युअल इंडक्टन्स असते, परंतु रेझिस्टन्स कमी असतो, त्यामुळे L/R या टाइम कॉन्स्टंटनुसार, टाइम कॉन्स्टंट खूप मोठा असल्याचे दिसून येते. अशा परिस्थितीत, जर करंट स्थिर ठेवायचा असेल, तर चार्जिंगची वेळ खूप जास्त लागेल. म्हणून, काही मोठ्या ट्रान्सफॉर्मरसाठी, चाचणीची वेळ शक्य तितकी कमी केली पाहिजे. जर मोठ्या ट्रान्सफॉर्मरच्या लो-व्होल्टेज वाइंडिंगमधील रेझिस्टन्स मोजायचा असेल, तर लो-व्होल्टेज टोकाला एक्साइटिंग टर्न्स कमी असल्यामुळे, सिरीज वाइंडिंग मॅग्नेटायझेशनची पद्धत अवलंबली जाऊ शकते आणि योग्य कनेक्शन मोड निवडला पाहिजे.